제품 상세정보
브랜드 이름: ON Semiconductor
인증: ROHS
모델 번호: NCS20074DTBR2G
지불과 운송 용어
최소 주문 수량: 1 PC
가격: Negotiated
포장 세부 사항: 트레이 /는 비틀거립니다
배달 시간: 3-15days
주식: 8000
지불 조건: L/C (신용장), 인수 인도, D/P (지급도 조건), 전신환, 웨스턴 유니온, 머니그램
공급 능력: 1000PCS
제조 상품 번호: |
NCS20074DTBR2G |
채널 수: |
2 |
입력전압 범위: |
±15 Ｖ |
공급 전압 범위: |
4.5V 내지 18V |
슬루율: |
0.3 V/μs |
이득 대역폭 제품: |
1.2MHz |
제조 상품 번호: |
NCS20074DTBR2G |
채널 수: |
2 |
입력전압 범위: |
±15 Ｖ |
공급 전압 범위: |
4.5V 내지 18V |
슬루율: |
0.3 V/μs |
이득 대역폭 제품: |
1.2MHz |
NCS20074DTBR2G - 전력 MOSFET 및 IGBT용 고속 듀얼 MOSFET 드라이버
소개:
NCS20074DTBR2G는 하프 브리지 구성에서 2개의 N채널 MOSFET 또는 IGBT를 구동하도록 설계된 고속 듀얼 MOSFET 드라이버입니다.빠른 상승 및 하강 시간(일반적으로 15ns)과 넓은 입력 전압 범위(4.5V ~ 18V)는 고주파 스위칭 애플리케이션에 이상적입니다.
신청:
DC-DC 컨버터, 모터 드라이브, 파워 인버터
제품 속성:
| 제품 속성 | 명세서 |
|---|---|
| 상표 | 온세미컨덕터 |
| 공급 전압 범위 | 4.5~18V |
| 출력 전류 | 4A 피크 |
| 상승/하강 시간 | 15ns 일반 |
| 포장 종류 | TSSOP-8 |
| 작동 온도 | -40°C ~ 125°C |
더 많은 제품:
자주하는 질문:
Q1: NCS20074DTBR2G가 처리할 수 있는 최대 전압은 얼마입니까?
A: NCS20074DTBR2G의 최대 입력 전압은 18V입니다.
Q2: NCS20074DTBR2G의 출력 전류는 얼마입니까?
A: NCS20074DTBR2G는 4A의 피크 출력 전류를 제공할 수 있습니다.
Q3: NCS20074DTBR2G의 패키지 유형은 무엇입니까?
A: NCS20074DTBR2G는 TSSOP-8 패키지로 제공됩니다.
Q4: NCS20074DTBR2G의 일반적인 애플리케이션은 무엇입니까?
A: NCS20074DTBR2G는 일반적으로 DC-DC 컨버터, 모터 드라이브 및 전력 인버터에 사용됩니다.
Q5: NCS20074DTBR2G의 작동 온도 범위는 어떻게 됩니까?
A: NCS20074DTBR2G는 -40°C ~ 125°C의 온도 범위에서 작동할 수 있습니다.
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