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512GB 낸드 플래시 메모리 IC 칩 MT29F512G08CUCABH3-10RZ

제품 상세정보

원래 장소: TSOP

브랜드 이름: Micron Technology

인증: ROHS

모델 번호: MT29F512G08CUCABH3-10RZ

지불과 운송 용어

최소 주문 수량: 1 PC

가격: Negotiated

포장 세부 사항: 트레이 /는 비틀거립니다

배달 시간: 3-15days

주식: 8000

지불 조건: L/C (신용장), 인수 인도, D/P (지급도 조건), 전신환, 웨스턴 유니온, 머니그램

공급 능력: 1000PCS

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하이라이트:

512GB 메모리 IC 칩

,

에프비지에이 메모리용 IC 칩

,

MT29F512G08CUCABH3-10RZ

제조 상품 번호:
MT29F512G08CUCABH3-10RZ
기억 영역형:
낸드 플래시 메모리
메모리 용량:
512GB
메모리 속도:
이용 불가능
공급 전압:
2.7V 내지 3.6V
패키지 종류:
에프비지에이
제조 상품 번호:
MT29F512G08CUCABH3-10RZ
기억 영역형:
낸드 플래시 메모리
메모리 용량:
512GB
메모리 속도:
이용 불가능
공급 전압:
2.7V 내지 3.6V
패키지 종류:
에프비지에이
512GB 낸드 플래시 메모리 IC 칩 MT29F512G08CUCABH3-10RZ

MT29F512G08CUCABH3-10RZ - 512GB NAND 플래시 메모리

 

여기에서 정보를 찾으십시오.xlsx

소개:

MT29F512G08CUCABH3-10RZ는 512GB NAND 플래시 메모리 모듈로 다양한 컴퓨팅 및 저장용 애플리케이션에서 사용하도록 설계되었습니다. 높은 수준의 성능, 신뢰성,그리고 호환성, 그것은 요구 메모리 애플리케이션에 대한 이상적인 솔루션입니다. MT29F512G08CUCABH3-10RZ 또한 고속 데이터 전송 속도와 낮은 전력 소비를 제공합니다.모바일 기기 및 다른 전력 민감한 애플리케이션에 사용하기에 적합하도록.

 

응용 프로그램:

솔리드 스테이트 드라이브, USB 플래시 드라이브, 메모리 카드, 임베디드 시스템

 

제품 속성:

브랜드 마이크로 기술
메모리 타입 NAND 플래시 메모리
메모리 크기 512GB
메모리 속도 제1호
공급 전압 2.7V ~ 3.6V
패키지 종류 TSOP

 

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512GB 낸드 플래시 메모리 IC 칩 MT29F512G08CUCABH3-10RZ 0512GB 낸드 플래시 메모리 IC 칩 MT29F512G08CUCABH3-10RZ 1

FAQ:

Q1: MT29F512G08CUCABH3-10RZ의 메모리 유형은 무엇입니까?

A: MT29F512G08CUCABH3-10RZ는 NAND 플래시 메모리 모듈입니다.

Q2: MT29F512G08CUCABH3-10RZ의 메모리 속도는 얼마입니까?

A: MT29F512G08CUCABH3-10RZ는 특정 메모리 속도가 없습니다.

Q3: MT29F512G08CUCABH3-10RZ의 공급 전압은 무엇입니까?

A: MT29F512G08CUCABH3-10RZ는 2.7V에서 3.6V의 공급 전압으로 작동합니다.

Q4: MT29F512G08CUCABH3-10RZ의 메모리 용량은 얼마입니까?

A: MT29F512G08CUCABH3-10RZ는 512GB의 메모리 용량을 가지고 있습니다.

Q5: MT29F512G08CUCABH3-10RZ의 패키지 유형은 무엇입니까?

A: MT29F512G08CUCABH3-10RZ는 TSOP 패키지로 제공됩니다.

Q6: MT29F512G08CUCABH3-10RZ는 어떤 종류의 장치에 적합합니까?

A: MT29F512G08CUCABH3-10RZ는 솔리드 스테이트 드라이브, USB 플래시 드라이브, 메모리 카드 및 스토리지 집중적인 애플리케이션을 위한 임베디드 시스템에 사용하기에 적합합니다.